Моя заявка (0)
STL57N65M5, MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828767
Артикул
STL57N65M5
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.18
Серия
Mdmesh M5
Структура
N-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 1 469,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

Технические параметры

Вес, г0.18
СерияMdmesh M5
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада11 ns
Power Dissipation (Pd)189W
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)96nC@10V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокPowerFLAT-8x8-5
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.2nF@100V
Continuous Drain Current (Id)22.5A
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора96 nC
Время нарастания10.8 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)6pF@100V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности189 W
Id - непрерывный ток утечки22.5 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
Чувствительный к влажностиYes
Rds Вкл - сопротивление сток-исток61 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт189
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)61mΩ@10V, 17.5A

Техническая документация