Моя заявка (0)
STL56N3LLH5, MOSFETs N-Channel 30V 15A 0.0076 Ohm STripFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005442174
Артикул
STL56N3LLH5
Бренд
STMicroelectronics
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
+22V, -20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 107,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Channel 30V 15A 0.0076 Ohm STripFET

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)+22V, -20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
СерияSTL56N3LLH5
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerVDFN
УпаковкаReel
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 7.5A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)62.5W(Tc)
Supplier Device PackagePowerFlat™(5x6)
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокPowerFLAT-5x6-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 4.5 V
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C56A(Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности62.5 W
Id - непрерывный ток утечки15 A
Коммерческое обозначениеSTripFET
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт62.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)9mΩ

Техническая документация