STL52DN4LF7AG, MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024889713
- Артикул
- STL52DN4LF7AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 14.5 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 205,89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 14.5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | PowerFLAT-5x6-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 48 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9 мОм |