STL4N80K5, MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828765
- Артикул
- STL4N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh K5
- Fall Time
- 21 ns
Цена по запросу
(от 204,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh K5 |
| Fall Time | 21 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 15 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Configuration | Triple Common Source |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerFLAT-5x6-VHV-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10.5 nC |
| Power Dissipation | 38Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 38 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 16.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 2.1Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 Ohms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 38Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.1Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.1Ом |