Моя заявка (0)

STL47N60M6, MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

STL47N60M6, MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828763
Артикул
STL47N60M6
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.18
Серия
Mdmesh M6
Структура
N-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 639,57 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Технические параметры

Вес, г0.18
СерияMdmesh M6
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокPowerFLAT-8x8-5
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора57 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности189 W
Id - непрерывный ток утечки31 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
Чувствительный к влажностиYes
Rds Вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В3.25 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)80 mOhms

Техническая документация