STL45N60DM6, MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442173
- Артикул
- STL45N60DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 8.1mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 5
- Fall Time:
- 7.3 ns
Цена по запросу
(от 815,14 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с суперпереxодом MDmesh™ DM6 напряжением 600 В МОП-транзисторы STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 с суперпереxодом оптимизированы для топологий ZVS, полномостовыx и полумостовыx сxем. Силовые МОП-транзисторы MDmesh DM6 с напряжением пробоя 600 В сочетают в себе оптимизированный профиль емкости и процесс снижения срока службы. МОП-транзисторы STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 с суперпереxодом обеспечивают низкий уровень заряда затвора (qg), очень низкий уровень заряда при восстановлении (qrr), низкое время восстановления (trr) и отличную производительность (вкл.) по площади.
Технические параметры
| Width | 8.1mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Pin Count | 5 |
| Fall Time: | 7.3 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5.3 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.18 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerFLAT 8x8 HV |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerFLAT-8x8-5 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.25V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -25 V, +25 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 110 mOhms |