Моя заявка (0)

STL42P4LLF6, Trans MOSFET P-CH 40V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R

STL42P4LLF6, Trans MOSFET P-CH 40V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002220643
Артикул
STL42P4LLF6
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
P-channel STripFET
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Brand:STMicroelectronics
SeriesP-channel STripFET
Series:STL42P4LLF6
Fall Time19 ns
PackagingReel
Rise Time47 ns
Fall Time:19 ns
Rise Time:47 ns
TechnologySi
Tradename:STripFET
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP Channel
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Configuration1 P-Channel
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePowerFLAT-5x6-8
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerFLAT-5x6-8
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge22 nC
Transistor Type:1 P-Channel
Power Dissipation75Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:22 nC
Number of Channels1 Channel
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation75 W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:75 W
Vgs - Gate-Source Voltage+/-20 V
Typical Turn-On Delay Time43 ns
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-Off Delay Time148 ns
Typical Turn-On Delay Time:43 ns
Typical Turn-Off Delay Time:148 ns
Id - Continuous Drain Current-42 A
Maximum Operating Temperature+175 C
Id - Continuous Drain Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.0105Ом
Rds On - Drain-Source Resistance10.5 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:10.5 mOhms
Линейка ПродукцииSTripFET F6
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-40 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage-2.5 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Непрерывный Ток Стока42А
Рассеиваемая Мощность75Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerFLAT
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0105Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация