STL3N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ., 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828756
- Артикул
- STL3N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STL3N65M2
- Fall Time:
- 21.5 ns
- Rise Time:
- 3.4 ns
Цена по запросу
(от 113,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STL3N65M2 |
| Fall Time: | 21.5 ns |
| Rise Time: | 3.4 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 22 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 22 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.6 Ом |