STL3N10F7, Transistor: N-MOSFET; unipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055148147
- Артикул
- STL3N10F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STL3N10F7
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 3 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET™ - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx реализована новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой MOSFET-транзистор STripFET обладает высоким током и низким коэффициентом полезного действия (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STL3N10F7 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerFLAT-2x2-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |