Моя заявка (0)

STL33N65M2, STL33N65M2 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 650V 20A 5-Pin Power Flat EP T/R - Arrow.com

STL33N65M2, STL33N65M2 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 650V 20A 5-Pin Power Flat EP T/R - Arrow.com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002261821
Артикул
STL33N65M2
Бренд
STMicroelectronics
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Минимальный заказ: 40 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

STL33N65M2 STMicroelectronics MOSFETs Транзистор N-CH 650V 20A с 5-контактным разъемом питания EP T/R - Arrow.com

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed4
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Triple Source
Package Width8
Package Length8
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePower Flat EP
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyMDmesh M2
СтруктураN-Channel
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)11.5
Typical Rise Time (ns)11.5
Особенностивысоковольтный
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)150000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)41.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)41.5@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Typical Turn-On Delay Time (ns)13.5
Maximum Drain Source Voltage (V)650
Typical Turn-Off Delay Time (ns)72.5
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)20
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1790@100V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)154@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)10000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация