STL33N60DM2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.115 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000370895
- Артикул
- STL33N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.11
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 150Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 864 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.11 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.115Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 21А |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.115Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.115 Ом |