Моя заявка (0)

STL30P3LLH6,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 30 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Surface Mount

STL30P3LLH6,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 30 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001869643
Артикул
STL30P3LLH6
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STL30P3LLH6
Fall Time:
21 ns
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 186 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STL30P3LLH6
Fall Time:21 ns
Rise Time:15 ns
Tradename:STripFET
Вес, г0.35
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerFLAT-5x6-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:4.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:24 ns
Id - Continuous Drain Current:9 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:30 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.024 Ом

Техническая документация