STL2N80K5, 800V 2A 33W 4.9-@10V,1A 5V@100uA N Channel PowerFLAT-5x6-VHV-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015758554
- Артикул
- STL2N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- SuperMESH5™
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- ±30V
Цена по запросу
(от 138,77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.
Технические параметры
| Series | SuperMESH5™ |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.22 |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Серия: | STL2N80K5 |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Standard Package | 1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Технология: | Si |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 Ohm @ 1A, 10V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Max) | 33W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerFlat™(5x6) |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Торговая марка: | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 3 nC |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 100V |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A(Tc) |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 30 W |
| Id - непрерывный ток утечки: | 2 A |
| Коммерческое обозначение: | MDmesh |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -30 V, +30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 3.7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 800 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4 V |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 3000 |