Моя заявка (0)

STL28N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL28N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828750
Артикул
STL28N60DM2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STL28N60DM2
Packaging:
Reel, Cut Tape
Tradename:
MDmesh
Цена по запросу
(от 459,82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STL28N60DM2
Packaging:Reel, Cut Tape
Tradename:MDmesh
Вес, г0.18
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerFLAT-8x8-5
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:34 nC
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:140 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Id - Continuous Drain Current:21 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:175 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация