Моя заявка (0)

STL24N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828744
Артикул
STL24N60DM2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STL24N60DM2
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±25V
Цена по запросу
(от 357,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STL24N60DM2
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±25V
Fall Time:15 ns
Rise Time:8.7 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Tradename:MDmesh
Вес, г0.18
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / Case8-PowerVDFN
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerFLAT-8x8-5
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 9A, 10V
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:125 W
Power Dissipation (Max)125W(Tc)
Supplier Device PackagePowerFlat™(8x8)HV
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Id - Continuous Drain Current:15 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:195 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1055 pF @ 100 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A(Tc)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.195 Ом

Техническая документация