Моя заявка (0)

STL23NM50N, Trans MOSFET N-CH 500V 2.8A 4-Pin Power Flat EP T/R

STL23NM50N, Trans MOSFET N-CH 500V 2.8A 4-Pin Power Flat EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001456104
Артикул
STL23NM50N
Бренд
STMicroelectronics
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
4
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Минимальный заказ: 57 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 500V 2.8A с 4-контактным разъемом питания EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed4
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Triple Source
Package Width8
Package Length8
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePower Flat EP
Process TechnologyMDmesh
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)29
Typical Rise Time (ns)19
Особенностивысоковольтный
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)45
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)45@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Typical Turn-On Delay Time (ns)6.6
Maximum Drain Source Voltage (V)500
Typical Turn-Off Delay Time (ns)71
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)2.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1330@50V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)210@10V
Пороговое напряжение на затворе1…2 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация