Моя заявка (0)

STL20N6F7, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 12А, 78Вт, PowterFLAT™

STL20N6F7, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 12А, 78Вт, PowterFLAT™

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023422574
Артикул
STL20N6F7
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Type
null
Brand
STMicroelectronics
Width
3.3 mm
Цена по запросу
(от 227 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 12А, 78Вт, PowterFLAT™ Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

RoHSDetails
Typenull
BrandSTMicroelectronics
Width3.3 mm
Height0.8 mm
Length3.3 mm
Fall Time7.8 ns
PackagingReel
Rise Time17.6 ns
TechnologySi
Вес, г0.24
Channel ModeEnhancement
ManufacturerSTMicroelectronics
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge25 nC
Number of Channels1 Channel
СтруктураN-МОП
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity3000
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Pd - Power Dissipation78 W
Power Dissipation (Pd)3W;78W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)25nC@10V
Typical Turn-On Delay Time15 ns
Typical Turn-Off Delay Time24.4 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.6nF@25V
Continuous Drain Current (Id)100A
Id - Continuous Drain Current20 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance5.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт78
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.4mΩ@10A, 10V

Техническая документация