Моя заявка (0)

M6 Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 5-Pin PowerFlat HV STL19N60M6

M6 Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 5-Pin PowerFlat HV STL19N60M6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014534426
Артикул
STL19N60M6
Бренд
STMicroelectronics
Series
M6
Pin Count
5
Вес, г
1
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 1 580 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET включает в себя самые последние достижения xорошо известного и консолидированного семейства МОП-транзисторов SJ MDmesh.

Технические параметры

SeriesM6
Pin Count5
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerFLAT 8x8 HV
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation90Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.75V
Maximum Drain Source Resistance0.308 Ω
Drain Source On State Resistance0.255Ом
Maximum Continuous Drain Current11 A
Линейка ПродукцииMDmesh M6
Количество Выводов5вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока11А
Рассеиваемая Мощность90Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerFLAT
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.255Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.255 Ом

Техническая документация