N-Channel MOSFET, 15 A, 710 V, 8-PIn PowerFLAT 5 x 6 STMIcroelectronIcs STL18N65M5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063766530
- Артикул
- STL18N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 6.35mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 6.35mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M5 |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Fall Time | 11 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 7 ns |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | PowerFLAT 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerFLAT-5x6-HV-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 31 nC |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 57 W |
| Pd - Power Dissipation: | 57 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 36 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 240 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 240 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |