Моя заявка (0)

STL18N55M5, Trans MOSFET N-CH Si 550V 2.4A 4-Pin Power Flat EP T/R

STL18N55M5, Trans MOSFET N-CH Si 550V 2.4A 4-Pin Power Flat EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001273015
Артикул
STL18N55M5
Бренд
STMicroelectronics
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Military
No
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 600 ₽)
Минимальный заказ: 51 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

EU RoHSCompliant
MaterialSi
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed5
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width8
Package Height0.88
Package Length8
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePower Flat
Process TechnologyMDmesh
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)9.5
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)90000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)31
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)31@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Maximum Drain Source Voltage (V)550
Typical Turn-Off Delay Time (ns)23
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)13
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1352@100V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)270@10V
Пороговое напряжение на затворе1…2 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В550
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В