STL16N65M5, Trans MOSFET N-CH Si 650V 2A 4-Pin Power Flat EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001104137
- Артикул
- STL16N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 500 ₽)
Минимальный заказ: 61 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный МОП-транзистор N-CH Si 650V 2A с 4-контактным разъемом питания EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Triple Source |
| Package Width | 8 |
| Package Length | 8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | Power Flat EP |
| Process Technology | MDmesh V |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 6 |
| Typical Rise Time (ns) | 7 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 31 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 31@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1250@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 299@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |