STL16N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032050940
- Артикул
- STL16N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 260,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 7,5 А (Tc) 56 Вт (Tc) PowerFlat™ для поверxностного монтажа (5x6) HV
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 395mOhm @ 3.5A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 56W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerFlat™(5x6)HV |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 718 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.325 Ом |