STL16N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828737
- Артикул
- STL16N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MDmesh M2
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STL16N60M2
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MDmesh™ МОП-транзисторы второго поколения Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодом оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS1 (вкл.), зарядом затвора (Qg) и собственными емкостями (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Type: | MDmesh M2 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STL16N60M2 |
| FET Type | N-Channel |
| Product: | Power MOSFETs |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Fall Time: | 18.5 ns |
| Rise Time: | 9.5 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 355mOhm @ 4A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Power Dissipation (Max) | 52W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerFlat™(5x6)HV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10.5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 355 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 704 pF @ 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 Ом |