Моя заявка (0)

STL160N4F7, MOSFETs N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL160N4F7, MOSFETs N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004583854
Артикул
STL160N4F7
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STL160N4F7
Tradename:
STripFET
Вес, г
0.08
Цена по запросу
(от 159,82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STL160N4F7
Tradename:STripFET
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerFLAT-5x6-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:4.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.1 мОм

Техническая документация