STL13N60DM2, 600V 8A 370m @10V 52W 5V@250uA 1 N-Channel VDFN-8-Power Single FETs, MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050731236
- Артикул
- STL13N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.28
- Серия
- STL13N60DM2
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 1 090 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Вес, г | 0.28 |
| Серия | STL13N60DM2 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10.6 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | PowerFLAT-5x6-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Время нарастания | 4.8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 42.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |