STL12P6F6, MOSFETs P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828725
- Артикул
- STL12P6F6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 3.7 ns
- Rise Time:
- 5.3 ns
- Вес, г
- 0.08
Цена по запросу
(от 95,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
STMicroelectronics STripFET VI Силовые МОП-транзисторы
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 3.7 ns |
| Rise Time: | 5.3 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Triple |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 160 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13Ом |