STL12N65M5, Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001331183
- Артикул
- STL12N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- MDmeshв(ў V
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±25V
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор мощностью 650 В, тип 0,475 Ом, 8,5 А MDmesh(TM) В в корпусе PowerFLAT (TM) 5x6 В
Технические параметры
| Series | MDmeshв(ў V |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Obsolete |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 4.25A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 48W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerFlatв(ў(5x6) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 644pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.5A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |