Моя заявка (0)

STL12N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

STL12N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828722
Артикул
STL12N60M2
Бренд
STMicroelectronics
Type:
MDmesh M2
Brand:
STMicroelectronics
Product:
Power MOSFETs
Fall Time:
18 ns
Цена по запросу
(от 197,52 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мдмеш™ II Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS (on), зарядом затвора (Qg) и собственной емкостью (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.

Технические параметры

Type:MDmesh M2
Brand:STMicroelectronics
Product:Power MOSFETs
Fall Time:18 ns
Rise Time:9.2 ns
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:PowerFLAT-5x6-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:16 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:52 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:9.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:56 ns
Id - Continuous Drain Current:6.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:495 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.4 Ом

Техническая документация