STL120N4F6AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024723014
- Артикул
- STL120N4F6AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- PPAP
- Unknown
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 214,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 40V 55A Автомобильный AEC-Q101 с 8-контактным разъемом питания EP T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | Power Flat EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | STripFET F6 |
| Структура | N-Channel |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 70 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 115000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 63 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 63@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3700@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 3.6@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.9 мОм |