STL11N3LLH6, 30V 11A 7.5mOhm@5.5A,10V null VDFN-8-Power MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025032299
- Артикул
- STL11N3LLH6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VI
- Series:
- STL11N3LLH6
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 156,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VI |
| Series: | STL11N3LLH6 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
| Standard Package | 1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA(Min) |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W |
| Power Dissipation (Max) | 2W(Ta), 50W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerFlatв(ў(3.3x3.3) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 24V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5мОм |