Моя заявка (0)

STL100N8F7, Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R

STL100N8F7, Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049011814
Артикул
STL100N8F7
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
32 ns
Rise Time:
95 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:32 ns
Rise Time:95 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:PowerFLAT-5x6-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:46.8 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:120 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:49 ns
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация