Моя заявка (0)

STL100N8F7,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0052 ohm, PowerFLAT, Surface Mount

STL100N8F7,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0052 ohm, PowerFLAT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004131967
Артикул
STL100N8F7
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
32 ns
Rise Time:
95 ns
Вес, г
0.076
Цена по запросу
(от 481 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:32 ns
Rise Time:95 ns
Вес, г0.076
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:PowerFLAT-5x6-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:46.8 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:120 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:49 ns
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0052 Ом

Техническая документация