STI6N90K5, MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673236
- Артикул
- STI6N90K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- HTSUS
- 8541.29.0095
Цена по запросу
(от 227,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in an I2PAK package
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | MDmeshв„ў K5 -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 15.5 ns |
| Rise Time | 12.2 ns |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.5 |
| Серия | STI6N90K5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-262-3 Full Pack, IВІPak |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | STI6 -> |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 15.5 ns |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 12.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 30.4 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Время нарастания | 12.2 ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 910 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 910 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -25 V, +25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.91 Ом |