Моя заявка (0)

STI55NF03L, 30V 55A 80W 13m-@27.5A,10V 2.5V@250uA N Channel 1265pF@25V 27nC@4.5V -60-~+175-@(Tj) I2PAK MOSFETs

STI55NF03L, 30V 55A 80W 13m-@27.5A,10V 2.5V@250uA N Channel 1265pF@25V 27nC@4.5V -60-~+175-@(Tj) I2PAK MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015814108
Артикул
STI55NF03L
Бренд
STMicroelectronics
Type
N Channel
Вес, г
2.67
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
80Вт
Цена по запросу
(от 77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 55 А 80 Вт 13mOhm@27.5A,10 В 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы I2PAK соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г2.67
Channel TypeN Channel
Power Dissipation80Вт
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-60℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)80W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)27nC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.265nF@25V
Continuous Drain Current (Id)55A
Drain Source On State Resistance0.01Ом
Линейка ПродукцииSTripFET II Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока55А
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораI2PAK
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А55
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)13mΩ@27.5A, 10V