STI4N62K3, MOSFETs N-channel 620 V 17 Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828701
- Артикул
- STI4N62K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STI4N62K3
- Fall Time:
- 19 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 147,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH3™, полевой, 620В, 2А, 70Вт, I2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STI4N62K3 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 1.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-262-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 620 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.75 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 620 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |