Моя заявка (0)

STI47N60DM6AG, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Through Hole

STI47N60DM6AG, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003754076
Артикул
STI47N60DM6AG
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
15
Серия
STI47N60DM6AG
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 1 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Технические параметры

Вес, г15
СерияSTI47N60DM6AG
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation250Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокI2PAK-4
Drain Source On State Resistance0.07Ом
Линейка ПродукцииMDmesh DM6
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока36А
Рассеиваемая Мощность250Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Коммерческое обозначениеMDmesh
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораI2PAK
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.07Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.07 Ом

Техническая документация