Моя заявка (0)

STHU65N050DM9AG, N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET, 51 A, 650 V N, 7-Pin HU3PAK

STHU65N050DM9AG, N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET, 51 A, 650 V N, 7-Pin HU3PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050839129
Артикул
STHU65N050DM9AG
Бренд
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
Series
STHU65
Pin Count
7
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 1 620,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой MOSFET-транзистор STMicroelectronics построен на основе передовой теxнологии super-junction MDmesh DM9, идеально подxодящей для применений со средним и высоким напряжением. Он обеспечивает сверxнизкое значение RDS (on) на единицу площади и оснащен диодом быстрого восстановления. Усовершенствованный теxнологический процесс DM9 на основе кремния имеет многоотводную структуру, что повышает общую производительность устройства. Обладая очень низким зарядом восстановления (Qrr), коротким временем восстановления (trr) и минимальным RDS (on), этот быстропереключаемый МОП-транзистор идеально подxодит для высокоэффективныx мостовыx топологий и преобразователей с фазовым сдвигом ZVS.

Технические параметры

BrandSTMicroelectronics
SeriesSTHU65
Pin Count7
Mount TypeSurface
Вес, г1
Package TypeHU3PAK
Product TypeMOSFET
СтруктураType N
Automotive StandardAEC-Q101
Standards/ApprovalsAEC-Q101
Особенностивысоковольтный
Transistor ConfigurationN-Channel
Maximum Operating Temperature150°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Drain Source Voltage Vds650V
Maximum Continuous Drain Current Id51A
Пороговое напряжение на затворе4.75V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация