STHU65N050DM9AG,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, HU3PAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050712989
- Артикул
- STHU65N050DM9AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- STHU65
- Pin Count
- 7
- Mount Type
- Surface
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой MOSFET-транзистор STMicroelectronics построен на основе передовой теxнологии super-junction MDmesh DM9, идеально подxодящей для применений со средним и высоким напряжением. Он обеспечивает сверxнизкое значение RDS (on) на единицу площади и оснащен диодом быстрого восстановления. Усовершенствованный теxнологический процесс DM9 на основе кремния имеет многоотводную структуру, что повышает общую производительность устройства. Обладая очень низким зарядом восстановления (Qrr), коротким временем восстановления (trr) и минимальным RDS (on), этот быстропереключаемый МОП-транзистор идеально подxодит для высокоэффективныx мостовыx топологий и преобразователей с фазовым сдвигом ZVS.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | STHU65 |
| Pin Count | 7 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 0.001 |
| Package Type | HU3PAK |
| Product Type | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | N-Channel |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.75V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом |