Моя заявка (0)

STHU47N60DM6AG, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Surface Mount

STHU47N60DM6AG, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012534572
Артикул
STHU47N60DM6AG
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
STHU47
Product:
MOSFETs
Pin Count
7
Цена по запросу
(от 1 860 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics относится к серии диодов быстрого восстановления MDmesh DM6.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
SeriesSTHU47
Product:MOSFETs
Pin Count7
Вес, г2.32
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeHU3PAK
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFETs
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:55 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:600
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:250 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Maximum Drain Source Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current:36 A
Maximum Gate Threshold Voltage4.75V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current36 A
Rds On - Drain-Source Resistance:80 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.75 V
Пороговое напряжение на затворе4.75V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.07 Ом

Техническая документация