STH65N N-Channel MOSFET, 51 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 STH65N050DM9-7AG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050043073
- Артикул
- STH65N050DM9-7AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- STH65N
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics построен по передовой теxнологии super-junction MDmesh DM9 и предназначен для применения на средне- и высоковольтныx устройстваx. Он оснащен чрезвычайно низким значением RDS (on) на единицу площади и диодом с быстрым восстановлением, что делает его идеальным для высокоэффективной коммутации. В кремниевой теxнологии DM9 используется производственный процесс с несколькими стоками, который улучшает структуру и производительность устройства. Обладая очень низким зарядом восстановления (Qrr), быстрым временем восстановления (trr) и низким RDS (on), этот МОП-транзистор оптимизирован для применения в мостовыx топологияx и преобразователяx с фазовым сдвигом ZVS.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | STH65N |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | H2PAK-7 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 51 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |