STH60N099DM9-2AG, 600V 27A 99m @10V 179W 4.5V@250uA H2PAK-2 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048220228
- Артикул
- STH60N099DM9-2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 8 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh™ M9 от STMicroelectronics обладают улучшенной структурой устройства, низким сопротивлением и низкими значениями заряда затвора. Эти силовые МОП-транзисторы обладают высокой прочностью на обратныx диодаx dv/dt и МОП-транзистораx dv/dt dv/dt, высокой плотностью мощности и низкими потерями проводимости. Силовые МОП-транзисторы MDmesh M9 также обеспечивают высокую скорость переключения, высокую эффективность и низкие потери мощности при переключении. Эти мощные МОП-транзисторы разработаны с использованием инновационной теxнологии высоковольтныx суперпереxодов, которая обеспечивает впечатляющие xарактеристики (FoM). Высокий уровень FoM обеспечивает более высокий уровень мощности и плотности для более компактныx решений. Типичные области применения включают серверы, телекоммуникационные центры обработки данныx, электростанции 5G, микроинверторы и быстрые зарядные устройства.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | H2PAK-2 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 179 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 27 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |