STH3N150-2,Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 6 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8741620970
- Артикул
- STH3N150-2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- N Channel
- Width
- 15.8mm
- Series
- MDmesh
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 948 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
1,5 кВ 2,5А 140 Вт 9 Ом при 10 В, 1,3А 5 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы H2PAK-2 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Width | 15.8mm |
| Series | MDmesh |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.623 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | H2PAK-2 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 140W |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29.3 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 29.3nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 939pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1500 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9Ω@10V, 1.3A |