Моя заявка (0)
Транзистор полевой STH3N150-2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017377723
Артикул
STH3N150-2
Бренд
STMicroelectronics
Type
N Channel
Width
15.8mm
Series
MDmesh
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

1,5 кВ 2,5А 140 Вт 9 Ом при 10 В, 1,3А 5 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы H2PAK-2 ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Width15.8mm
SeriesMDmesh
Pin Count3
Вес, г1.7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeH2PAK-2
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Power Dissipation (Pd)140W
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation140 W
Typical Gate Charge @ Vgs29.3 nC @ 10 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)29.3nC@10V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)939pF@25V
Maximum Drain Source Voltage1500 V
Continuous Drain Current (Id)2.5A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance9 Ω
Maximum Continuous Drain Current2.5 A
Пороговое напряжение на затворе5V@250uA
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация