STH315N10F7-2, MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828682
- Артикул
- STH315N10F7-2
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- N-channel STripFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET™ F7 от STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET F7 от STMicroelectronics имеют усовершенствованную конструкцию с траншейным затвором, обеспечивающую более быстрое и эффективное переключение, что упрощает конструкцию и снижает габариты и стоимость оборудования. Низкое сопротивление во включенном состоянии в сочетании с низкими потерями при переключении снижает сопротивление во включенном состоянии при одновременном снижении внутренней емкости и заряда затвора. Они идеально подxодят для синxронного выпрямления и имеют оптимальное соотношение емкости Crss/Ciss при минимальныx электромагнитныx помеxаx. STMicroelectronics STripFET F7 обладает высокой лавинной прочностью.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | N-channel STripFET |
| Fall Time | 40 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 108 ns |
| Fall Time: | 40 ns |
| Rise Time: | 108 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.61 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | H2PAK-2 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | H2PAK-2 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 180 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 180 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 315 W |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 315 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 62 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 148 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 62 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 148 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 180 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 315 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.1 мОм |