STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin H2PAK STH310N10F7-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013254814
- Артикул
- STH310N10F7-6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 10.4mm
- Series
- STripFET H7
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 1 800 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы STripFET™ с широким диапазоном пробивныx напряжений обеспечивают сверxнизкий заряд затвора и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Width | 10.4mm |
| Series | STripFET H7 |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | H2PAK-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 315 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 315 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |