STH310N10F7-2, MOSFETs N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673233
- Артикул
- STH310N10F7-2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 10.4mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- STripFET H7
- Series:
- STH310N10F7-2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET™ - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx реализована новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой MOSFET-транзистор STripFET обладает высоким током и низким коэффициентом полезного действия (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.
Технические параметры
| Width | 10.4mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | STripFET H7 |
| Series: | STH310N10F7-2 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 40 ns |
| Rise Time: | 108 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 3.95 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | H2PAK-2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | H2PAK-2 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 180 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 315 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 315 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 62 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 148 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.1мОм |