STH30N65DM6-7AG, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008814244
- Артикул
- STH30N65DM6-7AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 1.54
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 223Вт
Цена по запросу
(от 1 470 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В 28 А при 115 Мом при 10 А, 10 В 223 Вт 4.75V@250uA N-канальные МОП-транзисторы H2PAK-7 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1.54 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 223Вт |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 223W |
| Особенности | высоковольтный |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 46nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2nF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 28A |
| Drain Source On State Resistance | 0.102Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh DM6 |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 28А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | H2PAK |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.75V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 223 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 115mΩ@10A, 10V |