Моя заявка (0)
STH270N8F7-6, MOSFETs N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828677
Артикул
STH270N8F7-6
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STH270N8F7-6
Fall Time:
42 ns
Rise Time:
180 ns
Цена по запросу
(от 750 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STH270N8F7-6
Fall Time:42 ns
Rise Time:180 ns
Tradename:STripFET
Вес, г1.6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-263-7
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:193 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:315 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:56 ns
Typical Turn-Off Delay Time:98 ns
Id - Continuous Drain Current:180 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А180
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)17мОм

Техническая документация