Моя заявка (0)

STH250N55F3-6, Trans MOSFET N-CH 55V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R

STH250N55F3-6, Trans MOSFET N-CH 55V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001007478
Артикул
STH250N55F3-6
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
EU RoHS
Compliant with Exemption
Military
No
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 600 ₽)
Минимальный заказ: 51 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

TabTab
EU RoHSCompliant with Exemption
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count7
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Hex Source
Package Height4.8(Max)
Package Length10.4(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageH2PAK
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)50
Typical Rise Time (ns)150
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)300000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)100
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)100@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)25
Maximum Drain Source Voltage (V)55
Typical Turn-Off Delay Time (ns)110
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)180
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)6800@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)2.6@10V
Пороговое напряжение на затворе4.9V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А180
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация