STH240N10F7-6,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, H2PAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046382909
- Артикул
- STH240N10F7-6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- STripFETв(ў F7
- Series:
- STH240N10F7-6
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 799 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | STripFETв(ў F7 |
| Series: | STH240N10F7-6 |
| FET Type | N-Channel |
| Military | No |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 112 ns |
| Rise Time: | 139 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1.38 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-263-7 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-7, DВІPak(6 Leads+Tab) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Base Part Number | STH240 |
| Supplier Package | H2PAK |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 160 nC |
| Process Technology | STripFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 60A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
| Supplier Device Package | H2PAK-6 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 49 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 300000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 160 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 160@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11550pF @ 25V |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4.5 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 180 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 11550@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2.5@10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 180A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.9V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.002 Ом |